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使用可控硅模塊的十大準則

來源:www.bjbicyclerental.com 日期:2019年03月16日  點擊數:載入中...
可控硅模塊大家都知道,它的應用與優勢讓它在電氣行業占著比較重要的作用,設備都有壽命的限制,所以在使用的時候一定要注意,正確的使用準則才能延長可控硅模塊的壽命,下面正高來說說可控硅模塊使用的十大準則。

    準則1
  為了導通閘流管(或雙向可控硅),必須有門極電流≧IGT,直至負載電流達到≧IL。這條件必須滿足,并按可能遇到的較低溫度考慮。

  準則2
  要斷開(切換)閘流管(或雙向可控硅),負載電流必須間,使能回復至截止狀態。在可能的運行溫度下必須滿足上述條件。

  準則3
    設計雙向可控硅模塊觸發電路時,只要有可能,就要避開3+象限(WT2-,+)。

      準則4
  為減少雜波吸收,門極連線長度降至低。返回線直接連至MT1(或陰極)。若用硬線,用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法,選用H系列低靈敏度雙向可控硅。


可控硅模塊


  規則5
  若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問題,在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt可能引起問題,加入一幾mH的電感和負載串聯。另一種解決辦法,采用Hi-Com雙向可控硅。

  準則6
  假如雙向可控硅模塊的VDRM在嚴重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出,采用下列措施之一:負載上串聯電感量為幾μH的不飽和電感,以限制IT/dt;用MOV跨接于電源,并在電源側增加濾波電路。

  準則7
  選用好的門極觸發電路,避開3+象限工況,可以限度提高雙向可控硅模塊的dIT/dt承受能力。

  準則8
  若雙向可控硅模塊的dIT/dt有可能被超出,負載上串聯一個幾μH的無鐵芯電感或負溫度系數的熱敏電阻。另一種解決辦法:對電阻性負載采用零電壓導通。

  準則9
  器件固定到散熱器時,避免讓雙向可控硅模塊受到應力。固定,然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側。

  準則10
  為了長期可靠工作,應保證Rthj-a足夠低,維持Tj不高于Tjmax,其值相應于可能的環境溫度。

以上就是可控硅模塊的使用準則,正確使用,既能延長可控硅模塊的使用壽命,又能保證可控硅模塊的穩定運行。
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